ICS 29.045 CCS H 82 中华人民共和国国家标准 GB/T12963—2022 代替GB/T12963—2014 电子级多晶硅 Electronic-grade polycrystalline silicon 2023-07-01实施 2022-12-30发布 国家市场监督管理总局 发布 国家标准化管理委员会 GB/T12963—2022 前言 本文件按照GB/T1.1一2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规定 起草。 本文件代替GB/T12963—2014《电子级多晶硅》，与GB/T12963—2014相比，除结构调整和编辑 性改动外，主要技术变化如下： a) 更改了适用范围（见第1章，2014年版的第1章）； b) 更改了牌号要求（见4.1,2014年版的4.1.1）； c) 更改了产品等级（见4.2，2014年版的4.1.2）； d) 更改了不同等级电子级多晶硅的技术指标（见5.1，2014年版的4.2）； e) 更改了结构要求（见5.3，2014年版的4.4）； f) 更改了试验方法的内容（见第6章，2014年版的第5章）； 更改了检验项目的要求（见7.3,2014年版的6.3）； 更改了取样及制样的内容（见7.4.12014年版的6.4.1）； i) 更改了氧含量的检验结果判定（见7.5.2，2014年版的6.5.1)； j) 更改了标志的内容（见8.1，2014年版的7.1）； k) 更改了随行文件的内容（见8.5，2014年版的7.5）。 请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。 本文件由全国半导体设备和材料标准化技术委员会（SAC/TC203）与全国半导体设备和材料标准 化技术委员会材料分技术委员会（SAC/TC203/SC2）共同提出并归口。 本文件起草单位：江苏鑫华半导体科技股份有限公司、有色金属技术经济研究院有限责任公司、青 海黄河上游水电开发有限责任公司新能源分公司、江苏中能硅业科技发展有限公司、有研半导体硅材料 股份公司、麦斯克电子材料股份有限公司、亚洲硅业（青海）股份有限公司、陕西有色天宏瑞科硅材料有 限责任公司、新特能源股份有限公司、四川永祥新能源有限公司、上海赛夫特半导体材料有限公司、宜昌 南玻硅材料有限公司、浙江海纳半导体股份有限公司、洛阳中硅高科技有限公司、东方电气（乐山）峨半 高纯材料有限公司。 本文件主要起草人：田新、蒋文武、赵培芝、首正、李素青、秦榕、王彬、孙燕、贺东江、陈卫群、宗冰、 徐岩、邱艳梅、李斌、刘晓霞、张遵、付绪光、董先君、潘金平、张园园、雷聪。 本文件于1991年首次发布，1996年第一次修订，2009年第二次修订，2014年第三次修订，本次为 第四次修订。 1 GB/T12963—2022 电子级多晶硅 1范围 本文件规定了电子级多晶硅的牌号和类别、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、 随行文件和订货单内容 本文件适用于以氯硅烷、硅烷制得的电子级多晶硅（以下简称“多晶硅”）。 2 2规范性引用文件 下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文 本文件。 GB/T1550 非本征半导体材料导电类型测试方法 GB/T 1551 硅单晶电阻率的测定直排四探针法和直流两探针法 GB/T1553 硅和锗体内少数载流子寿命测定光电导衰减法 GB/T 1557 硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法 GB/T1558 硅中代位碳原子含量红外吸收测量方法 GB/T 4059 硅多晶气氛区熔基磷检验方法 GB/T 4060 硅多晶真空区熔基硼检验方法 GB/T 4061 硅多晶断面夹层化学腐蚀检验方法 GB/T 14264 半导体材料术语 GB/T 14844 半导体材料牌号表示方法 GB/T24574 硅单晶中Ⅲ-V族杂质的光致发光测试方法 GB/T24581 硅单晶中Ⅲ、V族杂质含量的测定低温傅立叶变换红外光谱法 GB/T 24582 酸浸取-电感耦合等离子质谱仪测定多晶硅表面金属杂质 GB/T 29057 用区熔拉晶法和光谱分析法评价多晶硅棒的规程 GB/T 35306 硅单晶中碳、氧含量的测定低温傅立叶变换红外光谱法 GB/T37049 电子级多晶硅中基体金属杂质含量的测定电感耦合等离子体质谱法 3术语和定义 GB/T14264界定的术语和定义适用于本文件。 4牌号和类别 4.1多晶硅的牌号表示应符合GB/T14844的规定。 4.2多晶硅按外形分为块状多晶硅和棒状多晶硅，按导电类型分为n型和p型，按技术指标的差别分 为4级。 1 GB/T 12963—2022 5技术要求 5.1技术指标 多晶硅的等级及相关技术指标应符合表1的规定。 表1多晶硅等级及技术指标 技术指标要求 项目 特级品 电子1级 电子2级 电子3级 施主杂质含量（P、As、Sb总含量，以原子数计） ≤0.15X1013 ≤0.25X1013 ≤0.5X1013 ≤1.5×1013 cm-3 受主杂质含量（B、AI总含量，以原子数计） ≤0.5X1012 ≤1.5X1012 ≤2.5X1012 5.0X1012 cm=3 碳含量（以原子数计） ≤1.0X1015 ≤2.5X1015 ≤2.5X1015 ≤5.0X1015 cm=3 基体金属杂质含量（Fe.Cr、Ni、Cu、Zn、Na总含量） ≤0.1 ≤0.3 <0.5 ≤2.0 ng/g(ppbw) 表面金属杂质含量（Fe、Cr、Ni、Cu、Zn、Al、K、 Na、Ti、Mo、W、Co总含量） ≤0.1 90> ≤1.0 0'9V ng/g(ppbw) 注：多晶硅的导电类型、电阻率、少数载流子寿命和氧含量由供需双方协商确定。 5.2尺寸及允许偏差 5.2.1块状多晶硅具有无规则的形状和随机尺寸分布，其线性尺寸应为6mm~150mm，混装时，线性 尺寸小于6mm的硅块应不超过总重量的1%；若对尺寸有其他要求时，可由供需双方协商确定。 5.2.2棒状多晶硅的直径及长度要求可由供需双方协商确定，其直径偏差应不大于5%。 5.3结构 多晶硅应无氧化夹层和温度夹层。 5.4表面质量 5.4.1多晶硅表面结构应致密、平整，断面边缘颗粒不大于3mm。 5.4.2多晶硅的外观应无色斑、变色及可见的污染物。 5.4.3 如对多晶硅的表面质量有其他要求，由供需双方协商确定。 6试验方法 6.1对多晶硅进行施主杂质含量、受主杂质含量、碳含量、导电类型、电阻率、少数载流子寿命、氧含量 检验前应按照GB/T4059、GB/T4060或GB/T29057的方法制成单晶试样。 6.2多晶硅中施主杂质含量、受主杂质含量的检验按GB/T24574或GB/T24581的规定进行。仲裁 检验按GB/T24581的规定进行。 2 GB/T12963—2022 6.3多晶硅中碳含量的检验按GB/T1558或GB/T35306的规定进行。仲裁检验按GB/T35306的 规定进行。 6.4多晶硅基体金属杂质含量的检验按GB/T37049的规定进行。 6.6多晶硅导电类型的检验按GB/T1550的规定进行。 6.7多晶硅电阻率的检验按GB/T1551的规定进行。 6.8多晶硅少数载流子寿命的检验按GB/T1553的规定进行。 6.9多晶硅中氧含量的检验按GB/T1557或GB/T35306的规定进行。仲裁检验按GB/T35306的 规定进行。 6.10块状多晶硅的尺寸分布范围用过筛检验。棒状多晶硅尺寸及偏差用相应精度的量具测量。 6.11多晶硅结构（氧化夹层、温度夹层）的检验按GB/T4061的规定进行。 6.12多晶硅的断面边缘颗粒尺寸用相应精度的量具测量，其他表面质量目视检查。 7检验规则 7.1检查和验收 7.1.1产品由供方或第三方进行检验，保证产品质量符合本文件及订货单的规定。 7.1.2需方可对收到的产品按本文件的规定进行检验。若检验结果与本文件或订货单的规定不符时， 应在收到产品之日起3个月内以书面形式向供方提出，由供需双方协商解决。 7.2组批 产品应成批提交验收，每批应由同一规格、同一等级、同一工艺生产的多晶硅组成。 7.3检验项目 7.3.1每批产品应对施主杂质含量、受主杂质含量、碳含量、基体金属杂质含量、表面金属杂质含量、尺 寸及允许偏差、结构、表面质量进行检验。 7.3.2导电类型、电阻率、少数载流子寿命、氧含量由供需双方协商确定是否检验并在订货单中注明。 7.4取样及制样 7.4.1施主杂质含量、受主杂质含量、导电类型、少数载流子寿命、碳含量、氧含量、基体金属杂质含量、 表面金属杂质含量、尺寸及允许偏差、表面质量的取样及制样由供需双方协商确定。 7.4.2电阻率的取样及制样按GB/T4059、GB/T4060或GB/T29057的规定进行，氧化夹层和温度 夹层的取样及制样按GB/T4061的规定进行。仲裁时取样及制样由供需双方协商确定。 7.5检验结果的判定 7.5.1多晶硅的施主杂质含量、受主杂质含量、碳含量、基体金属杂质含量、表面金属杂质含量的检验 结果中如有任一试样的任一检验项目不合格时，则加倍取样对该不合格的项目进行重复试验。重复试 验结果仍有不合格者，判该批产品不合格。 7.5.2导电类型、电阻率、少数载流子寿命、氧含量、尺寸及允许偏差、结构、表面质量检验结果的判定 由供需双方协商确定。 3