UDC 621. 382. 032. 26 GB L 50 中华人民共和国国家标准 GB 12 565 -9 0 半导 体器件 光电子器件分规范 Semiconductor devices Sectional specification for optoelectronic devices （可供认证用） 1990-12-12发布 1991-10-01实施 国家技术监督局 发布 中华人民共和国国家标准 半导体 号件 器 光电子器件分规范 GB 12565—90 Semiconductor devices Sectional specification for optoelectronic devices (可供认证用） -1范围 1.1半导体光发射器件 光电子显示器件； b. 发光二极管(LED); 红外发射二极管(IRED); d. 激光二极管。 1.2半导体光敏器件 光敏二极管； b．光敏三极管； e. 光控闸流晶体管。 1.3半导体图像器件。 1.4光耦合器。 2总则 本规范应与其有关的总规范一起使用；本规范规定了评定半导体光电子器件所需的质量评定程序、 检验要求、筛选顺序，抽样要求、试验和测试方法的细节。 2.1有关文件 2.2温度的推荐值（优选值） 2.3电压和电流的推荐值（优选值） 见IEC747-1第6.6条。 3质量评定程序 3.1初始的制造阶段和转包 初始的制造阶段为下述之一： 单晶半导体器件 a. 改变纯P型或纯N型单晶半导体材料的第一道工序。 b，多晶半导体器件 国家技术监督局1990-12-12批准 1991-10-01实施 1 GB12565—90 在衬底上淀积多晶层。 3.2结构相似器件 对本文件来说： 结构相似器件是指由同一制造单位采用基本相同的设计和相同的材料、工序和方法制造的器件。通 常仅因为制造上的变化使得它们被分为具有不同电特性、光特性或辐射特性的各种型号。 为了获得鉴定批准和质量一致性检验所用的样品，半导体光电子器件可以按下述规则分组。 附录A（补充件）的图解释了这些规如的应用。 3.2.1A组和（或）B组中电和光特性测试的分组 具有相同的器件设计、在同一生产线上制造的而差别仅在按电和光特性极限值进行分类的器件，应 根据这些不同的电和光特性极限值（被分成各种型号）分为不同型号的子批。 上述器件最好应包含在同一详细规范中，但是在任何情况下都应在鉴定批准试验报告中说明所采 用的分组细节。 3.2.1.1不同的电和光特性极限值 对于那些适用于各子批的不同的电和光特性极限值的具体测试，每个子批应抽取与各子批器件数 相应的样品量。 上述具体测试的实例为： a.光敏器件按不同的光敏灵敏度分成各个子批； b.光耦合器按不同的输入传输比分成各个子批； 发光器件按不同的发光或辐射强度分成各个子批。 C. 3.2.1.2相同的电和光特性极限值 对于那些适用于所有子批的相同的电或光特性极限值和测试条件的具体测试，用下述之一种测试 评定总批： a。由所有子批的相等的或成比例的数量组成的一组样品， b．从总批中随机抽取的-组样品。 3.2.2B组和（或)C组中环境试验的分组 用相同方法封装的、具有相同内部机械结构基本型式，由相同零部件制成的、并经共同的密封和涂 覆程序的器件，按下述可以认为是结构相似的。按规定抽取的一组样品可以评定该相似器件的总批 注：“相同零部件系指按相同图纸或相同规范自制的或购得的合格零部件。 3.2.2.1相同生产线制成的器件 上述分组能适用的试验有： a. 目检； b. 尺寸; c. 焊接：可焊性和耐焊接热； 引出端强度； e. 腐蚀（例如稳态湿热）； f. 温度变化和湿热循环（或密封）； g. 振动； 恒定加速度； i. 冲击。 注：①“相同生产线”系指具有等效的设备、相同的工艺规程控制图或规范、使用相同零部件和材料、设置在间一厂 区并能生产相同器件的生产线， ②这些器件是指在相同生产线上制造的，并用相同零部件制成的管壳封装的。 2 GB 12565---90 3.2.2.2不同生产线制成的器件 上述分组能适用的试验限于： a. 目检； 尺寸; b. 焊接：可焊性和耐焊接热； c. d. 引出端强度； 腐蚀（例如稳态湿热）。 e. 3.2.3耐久性试验的分组 除在详细规范另有规范外，对于耐久性试验（例如电耐久性试验或千热试验）而言，具有相同的器件 设计、在相同生产线上制造的而差别仅在按电或光特性极限值进行分类的器件，应根据这些不同的电或 光特性极限值分为各种型号的子批。根据第3.2.3.1或3.2.3.2条的规定，这些子批之一中的器件可用 作电耐久性试验。 主述器件最好应包含在同一详细规范中，但是在任何情况下都应在鉴定批准试验报告中说明所采 用的分组的细节。 3. 2. 3. 1在 B组(逐批)中规定试验时 对于每种耐久性试验，倘若从下述规定的任一子批中抽取一组样品，则可以评定总批： a。被选子批的器件总数同具有较低额定值或不太严格的特性极限值的所有其他子批的器件总数 之和，不少于所有子批总批量的60%； b．在生产过程中的前三个月内，应对总批中在该周期内提交检验过的、具有最高额定值或最严格 的电或光特性极限值的子批抽取适当的样品量进行电耐久性试验。 3.2.3.2仅在 C组(周期)中规定试验时 对于每种周期性耐久性试验，按照详细规范规定的样品量抽取的一组样品可评定总批，样品最好从 器件数量最多的子批中抽取，而且应保证在较长的期限内适当轮换其他型号。 3.3鉴定批准的检验要求 应与本标准表5和表6规定的抽样要求一起，正常地采用QC001002《程序规则》第11.3.1条的方 法b)。 但是，如果采用有关的空白详细规范规定的抽样要求，则允许采用QC001002第11.3.1条的方 法a)。 3. 4质量一致性检验 3.4.1组和分组的划分 应按下列各表划分组和分组： 表 1 A组—逐批 分组 检验或试验 引用标准 条件 A1 外部目检 GB 4589. 1, 4. 2. 1. 1 不工作 A2a 按规定 A2b,A3,A4 电和光特性 有关标准 按适用方法的规定 3 GB12565-90 表2B组逐批 （关于I类，见GB4589.1第2.6条） 分纽 检验或试验 引用标准 条件 B1 尺寸(互换性) 按详细规范所给的外形图（也可见附录B） 电和光特性 B2a 有关标准 适用时，按规定 (设计参数) B2b 其他电和光特性 有关标准 适用时，按规定；例如高温测量 电和光极限 B2c 有关标准 适用时，按规定 值的验证 B3 引出端强度 GB 49371) ,2. 1 按规定；例如引线弯曲" 可焊性 GB 4937,2. 2. 1 按规定 温度快速变化 GB 4937,3. 1 继之以： 湿热循环 SJ/z 9016,4$) B5a 按规定，取决于封装 (IEC 749,1,4) 或 密封 GB 4937.3.7 SJ/z 9001. 45) B5b 温度变化" 按规定(检查间失效） (IEC 68-2-141 ) 按规定，取决于封装 B6 恒定加速度 GB 4937,2. 5 （如果空白详细规范要求时） B7 不适用 88 电耐久性 有关标准 按规定方法，168h B9 高温贮存 GB 4937,3. 2 在高温贮存温度下 168 h CRRL 放行批证明记录 按空白详细规范中规定的计数数据 注：1）《半导体分立器件机械和气候试验方法》。 2）不适用于超小型器件。 3）半导体器件机械和气候试验方法》。 4）仅适用于光耦合材料与芯片表面或内连引线直接接触的带尾纤器件。 5）《基本环境试验程序》试验N,温度的变化。 4