ICS 29.045 H80 中华人民共和国国家标准 GB/T4058—2009 代替GB/T4058—1995 硅抛光片氧化诱生缺陷的检验方法 Test method for detection of oxidation induced defects in polished silicon wafers 2009-10-30发布 2010-06-01实施 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 发布 中国国家标准化管理委员会 人民共和国 中华 国家标准 硅抛光片氧化诱生缺陷的检验方法 GB/T4058—2009 * 中国标准出版社出版发行 北京复兴门外三里河北街16号 邮政编码：100045 网址www.spc.net.cn 电话：6852394668517548 中国标准出版社秦皇岛印刷厂印刷 各地新华书店经销 * 开本880×12301 1/16 印张 1.25 字数33千字 2010年1月第一版 2010年1月第一次印刷 * 书号：155066：1-39567 如有印装差错 由本社发行中心调换 版权专有侵权必究 举报电话：（010）68533533 GB/T 4058—2009 前言 本标准代替GB/T4058一1995《硅抛光片氧化诱生缺陷的检验方法》。 本标准与GB/T4058—1995相比，主要有如下变化： 范围中增加了硅单晶氧化诱生缺陷的检验； 增加了引用标准； 一增加了“术语和定义”章； 将原标准中“表1四种常用化学抛光液配方”删除，在第5章中对化学抛光液配比进行了修 改，删除了乙酸配方；增加了铬酸溶液A的配制Sirtl腐蚀液及Wright腐蚀液的配制；增加了 几种国际上常用的无铬、含铬腐蚀溶液的配方、应用及适用性的分类对比表； 采用氧化程序替代原标准中的氧化的操作步骤；增加了（111）面缺陷的显示方法及Wright腐 蚀液的腐蚀时间，将（111）面和（100）面缺陷显示方法区分开了；（100）面缺陷的显示增加了 Wright腐蚀液腐蚀方法； 在缺陷观测的测点选取中增加了“米”字型测量方法。 本标准的附录A为资料性附录 本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会提出。 本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会归口。 本标准起草单位：峨嵋半导体材料厂。 本标准主要起草人：何兰英、王炎、张辉坚、刘阳、 本标准所代替标准的历次版本发布情况为： GB4058—1983,GB/T4058—1995; —GB6622—1986、GB6623—1986。 I GB/T4058—2009 硅抛光片氧化诱生缺陷的检验方法 1范围 本标准规定了硅抛光片氧化诱生缺陷的检验方法。 硅单晶氧化诱生缺陷的检验也可参照此方法 2规范性引用文件 下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款。凡是注日期的引用文件，其随后所有 的修改单（不包括勘误的内容）或修订版均不适用于本标准，然而，鼓励根据本标准达成协议的各方研究 是否可使用这些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本适用于本标准。 GB/T1554硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法 GB/T14264半导体材料术语 YS/T209硅材料原生缺陷图谱 3术语和定义 GB/T14264中规定的术语和定义适用于本标准。 4方法原理 模拟器件工艺的氧化条件，利用氧化来缀饰或扩大硅片中的缺陷，或两者兼有，然后用择优腐蚀液 显示缺陷，并用显微技术观测。 5试剂和材料 5.1三氧化铬，优级纯。 5.2 氢氟酸，优级纯。 5. 3 3硝酸，优级纯。 5.4氨水，优级纯。 5. 5 盐酸，优级纯。 5.6过氧化氢，优级纯。 5.7 纯水，电阻率大于10M2cm（25℃）。 5.8 乙酸，优级纯。 5. 9 硝酸铜，优级纯。 5.10 0清洗液1#：水：氨水：过氧化氢=4：1：1（体积比）。 5.11清洗液2#：水：盐酸：过氧化氢=4：1：1（体积比）。 5.12化学抛光液配比：HF：HNO=1：（3～5）（体积比）。 5.13 3铬酸溶液A：称取500g三氧化铬于烧杯中，用水完全溶解后，移入1000mL容量瓶中，用水稀 释至刻度，混匀（见GB/T1554）。 度，混匀。 5.15Sirtl腐蚀液：铬酸溶液A（5.13）：氢氟酸=1：1（体积比），使用前配制。 1