ICS 31.200 CCS L 56 中华人民共和国国家标准 GB/T 42837—2023 微波半导体集成电路 放大器 Microwave semiconductor integrated circuits- Amplifier 2023-08-06发布 2023-12-01实施 国家市场监督管理总局 发布 国家标准化管理委员会 GB/T42837—2023 前言 起草。 请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。 本文件由中华人民共和国工业和信息化部提出。 本文件由全国半导体器件标准化技术委员会（SAC/TC78）归口。 息股份有限公司、杭州电子科技大学、中国电子科技集团公司第五十五研究所、广东省中绍宣标准化技 术研究院有限公司、成都亚光电子股份有限公司、惠州市睿鼎电子科技有限公司、青岛金汇源电子有限 公司、中国电子科技集团公司第三十八研究所、中国航天科工集团第三十五研究所。 本文件主要起草人：周俊、霍玉柱、黄建新、邢浩、吴维丽、尹丽仪、杨晓瑜、朱镇忠、李德鹏、刘芳、 汪邦金、赵岩。 GB/T42837—2023 微波半导体集成电路 放大器 1范围 本文件规定了放大器的分类、技术要求、测试方法和检验规则等。 本文件适用于采用半导体集成电路工艺设计制造放大器的设计、制造、采购和验收。 2规范性引用文件 下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文 本文件。 GB/T 4589.1 半导体器件 第10部分：分立器件和集成电路总规范 GB/T 4937.3 半导体器件 机械和气候试验方法第3部分：外部目检 GB/T 4937.4 半导体器件 机械和气候试验方法 第4部分：强加速稳态湿热试验（HAST） GB/T 4937.11 半导体器件机械和气候试验方法第11部分：快速温度变化双液槽法 GB/T 4937.13 半导体器件 机械和气候试验方法 第13部分：盐雾 GB/T 4937.14 半导体器件 机械和气候试验方法 第14部分：引出端强度（引线牢固性） GB/T 4937.15 半导体器件 机械和气候试验方法 第15部分：通孔安装器件的耐焊接热 GB/T 4937.21 半导体器件 机械和气候试验方法 第21部分：可焊性 GB/T4937.23 半导体器件 机械和气候试验方法 第23部分：高温工作寿命 GB/T 4937.26 半导体器件 机械和气候试验方法 第26部分：静电放电（ESD）敏感度测试 人体模型（HBM) GB/T4937.27半导体器件 不 机械和气候试验方法 第27部分：静电放电（ESD）敏感度测试 机器模型（MM） GB/T9178集成电路术语 GB/T19403.1半导体器件集成电路第11部分：第1篇：半导体集成电路内部目检（不包 括混合电路） GB/T20870.1—2007半导体器件第16-1部分：微波集成电路 放大器 SJ/T10147集成电路防静电包装管 SJ/T11587—2016电子产品防静电包装技术要求 IEC60749-6半导体器件机械和气候试验方法第6部分：高温贮存（Semiconductordevices- Mechanical and climatic test methodsPart 6: Storage at high temperature) IEC6o749-8半导体器件机械和气候试验方法第8部分：密封（Semiconductordevices一Me chanical and climatic test methodsPart 8: Sealing) IEC60749-9半导体器件机械和气候试验方法第9部分：标志耐久性（Semiconductor devices-Mechanical and climatic test methodsPart 9: Permanence of marking) IEC60749-24半导体器件机械和气候试验方法第24部分：加速耐湿无偏置强加速应力试验 1 GB/T42837—2023 (Semiconductor devicesMechanical and climatic test methodsPart 24: Accelerated moisture resist- ance-Unbiased HAST) IEC60749-28半导体器件机械和气候试验方法第28部分：静电放电（ESD)敏感度测试带电 模型(CDM)[Semiconductor devices—Mechanical and climatic test methods—Part 28: Electrostatic discharge(ESD) sensitivity testingCharged device model(CDM)] IEC60749-36半导体器件机械和气候试验方法第36部分：稳态加速度（Semiconductorde vicesMechanical and climatic test methods-Part 36: Acceleration, steady state) 3术语和定义 GB/T9178和GB/T20870.1—2007界定的术语和定义适用于本文件。 4分类 根据微波信号的放大方式，放大器分为四种类型： a）A型：低噪声放大器，该器件是对微弱的微波信号进行放大且在放大过程中引人低附加噪声的 电路。 b）B型：自动增益控制放大器，该器件是当输入微波信号幅度在一定范围内变化时，输出信号保 持稳定的电路。 c）C型：限幅放大器，该器件是当输人微波信号幅度超过一定电平时，输出信号幅度达到限幅状 态的电路。 I (P D型：功率放大器，该器件是对微波信号进行功率放大的电路 5 技术要求 5.1月 电特性 5.1.1静态特性 各类放大器至少应规定的电源电流静态特性参数。 5.1.2动态特性 各类放大器至少应规定的动态特性参数见表1。 表1动态特性参数 电路类型 动态特性参数 最小值 最大值 C型 A型 B型 D型* 5.1.2.1线性增益 X X X + 5.1.2.2线性增益平坦度 X 5.1.2.3功率增益 X X 5.1.2.4功率增益平坦度 X X X 5.1.2.5增益控制范围 X X 2 GB/T42837—2023 表 1 动态特性参数（续） 电路类型 动态特性参数 最小值 最大值 A型 B型" C 型 D型" X X 5.1.2.6输出功率 X 5.1.2.71dB增益压缩输出功率 X 5.1.2.8限幅输出功率 X X X 5.1.2.9限幅输出功率平坦度 5.1.2.10交调失真 X X 5.1.2.11截距点功率 X 5.1.2.12噪声系数 X 5.1.2.13输入发射系数的模（输人回波损耗） X 5.1.2.14输出发射系数的模（输出回波损耗） X X X X6 5.1.2.15反向传输系数的模（隔离度） X 5.1.2.16幅度调制对相位调制转换系数（适用时） X X X 5.1.2.17群延迟时间（适用时） X x 5.1.2.18功率附加效率（适用时） X 5.1.2.19n阶谐波失真比（适用时） X 5.1.2.20输出噪声功率（适用时） X X 5.1.2.21在规定负载电压驻波比下杂散度（适用时） 注：“×”表示必备要求，“一”表示不要求 B型和D型放大器应选择5.1.2.1、5.1.2.2和5.1.2.7的参数或5.1.2.3、5.1.2.4和5.1.2.6的参数。 b任选。对于D型放大器，器件分为大信号、小信号两种工作条件，应规定不同的测试方法。 5.2 封装 放大器应给出封装外形图：包括封装形式、外形尺寸、引出端定义功能符号等 5.3 其他指标 为了方便使用，还应规定以下适用的特性： a) 输入或输出电路功能框图； b) 静电放电敏感度（ESD)（人体模型、机械模型、带电模型等）； c) 推荐工作条件； d) 热阻； e) 工作温度。 6 电特性测试方法 6.1 一般说明 除另有规定外，试验在下列环境条件下进行： 3 GB/T42837—2023 a) 相对湿度：25%~75%（适用时）； b) 大气压力：86kPa～106kPa； c) 试验温度：25℃±3℃。 6.2 静态特性测试 给放大器施加规定的工作电压，使用电流表读取电源电流。 6.3 动态特性测试 6.3.1线性增益 按照GB/T20870.12007中5.2的规定。 6.3.2线性增益平坦度 按照GB/T20870.1-2007中5.3的规定 6.3.3功率增益 按照GB/T20870.1—2007中5.4的规定。 6.3.4功率增益平坦度 按照GB/T20870.1—2007中5.5的规定。 6.3.5增益控制范围 按照GB/T20870.1—2007中5.6的规定。 6.3.6限幅输出功率、限幅输出功率平坦度 按照GB/T20870.1—2007中5.7的规定。 6.3.7输出功率 按照GB/T20870.1—2007中5.8的规定。 6.3.81dB压缩点输出功率 按照GB/T20870.1—2007中5.9的规定。 6.3.9噪声系数 按照GB/T20870.1—2007中5.10的规定。 6.3.10 交调失真 按照GB/T20870.1—2007中5.11的规定。 6.3.11 截距点功率 按照GB/T20870.1—2007中5.12的规定。 6.3.12 2输入发射系数的模（输入回波损耗） 按照GB/T20870.1—2007中5.13的规定。 4 GB/T42837—20