ICS 31.200 CCS L 56 中华人民共和国国家标准 GB/T42973—2023 半导体集成电路 数字模拟（DA）转换器 Semiconductor integrated circuitsDigital-analog(DA) converter 2024-01-01实施 2023-09-07发布 国家市场监督管理总局 发布 国家标准化管理委员会 GB/T42973—2023 目 次 前言 1 范围 2 规范性引用文件 3 术语和定义 分类 4.1 概述 4.2 奈奎斯特率DA转换器 4.3 过采样DA转换器 技术要求 5.1 温度 5.2 电特性 5.3 封装特性 5.4 其他指标 6电特性测试方法 6.1 -般说明 6.2 静态特性 6.3 动态特性· 检验规则· 25 7.1 -般要求· 25 7.2 检验分类 25 7.3 质量评定类别 25 7.4 抽样方案 25 7.5 检验批构成· 26 7.6 鉴定检验 7.7 质量一致性检验 26 7.8 筛选 29 8 标志 30 包装、运输、贮存· 30 9.1 包装· 30 9.2 运输· 30 9.3 贮存 30 GB/T42973—2023 前言 起草。 请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。 本文件由中华人民共和国工业和信息化部提出。 本文件由全国半导体器件标准化技术委员会（SAC/TC78）归口。 本文件起草单位：中国电子技术标准化研究院、成都华微电子科技股份有限公司、成都振芯科技股 份有限公司、中国电子科技集团公司第五十八研究所、中国电子科技集团公司第二十四研究所、四川翊 晟芯科信息技术有限公司、北京芯可鉴科技有限公司、中国科学院半导体研究所、三旗（惠州）电子科技 有限公司、杭州万高科技股份有限公司。 本文件主要起草人：李锟、张驰、李大刚、王会影、张涛、雷郎成、刘显军、钟明琛、李文昌、李海龙 林玲、隋春娟。 GB/T42973—2023 半导体集成电路 数字模拟（DA）转换器 1范围 本文件规定了数字模拟（DA）转换器（以下简称DA转换器或DAC)的分类、技术要求、测试方法、 检验规则、标志、包装、运输和贮存。 本文件适用于采用半导体集成电路工艺设计制造的DA转换器。 2规范性引用文件 下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文 本文件。 GB/T4589.1一2006半导体器件第10部分：分立器件和集成电路总规范 GB/T4937.3一2012半导体器件机械和气候试验方法第3部分：外部目检 GB/T4937.4一2012半导体器件机械和气候试验方法第4部分：强加速稳态湿热试验 (HAST) GB/T4937.11—2018 半导体器件机械和气候试验方法第11部分：快速温度变化双液槽法 GB/T 4937.13—2018 半导体器件 机械和气候试验方法第13部分：盐雾 GB/T4937.14—2018 半导体器件机械和气候试验方法第14部分：引出端强度（引线牢固 性) GB/T4937.15—2018 半导体器件 机械和气候试验方法第15部分：通孔安装器件的耐焊 接热 GB/T4937.21—2018 半导体器件机械和气候试验方法第21部分：可焊性 GB/T4937.23 GB/T 4937.26 半导体器件机械和气候试验方法第26部分：静电放电（ESD）敏感度测试 人体模型（HBM) GB/T4937.27 半导体器件机械和气候试验方法第27部分：静电放电（ESD）敏感度测试 机器模型（MM) GB/T9178 集成电路术语 GB/T12750半导体器件集成电路第11部分：半导体集成电路分规范（不包括混合电路） SJ/T10147集成电路防静电包装管 SJ/T11587电子器件防静电包装技术要求 IEC60749-8：2002半导体器件机械和气候试验方法第8部分：密封（Semiconductor devicesMechanical and climatic test methods-Part 8: Sealing) IEC60749-9：2017半导体器件机械和气候试验方法第9部分：标志耐久性（Semiconductor devices—Mechanical and climatic test methods-Part 9: Permanence of marking) IEC60749-24：2004半导体器件机械和气候试验方法第24部分：稳态湿热（Semiconductor 1 GB/T42973—2023 devices—Mechanical and climatic test methodsPart 24:Accelerated moisture resistanceUnbiased HAST) IEC60749-28：2017半导体设备机械和气候测试方法第28部分：静电放电（ESD）灵敏度测试 充电器件型号（CDM）设备级别（SemiconductordevicesMechanicalandclimatictestmethods一Part 28:Electrostatic discharge (ESD) sensitivity testingCharged device model (CDM)device level) (SemiconductordevicesMechanical and climatic testmethodsPart36:Acceleration,steady state) 3术语和定义 GB/T9178界定的术语和定义适用于本文件。 4分类 4.1概述 奈奎斯特率DA转换器根据采用的基本器件，分为电阻型结构、电容型结构和电流型结构 4.2奈奎斯特率DA转换器 4.2.1电阻型DA转换器 电阻型DA转换器主要是利用电阻分压原理，将输入数字码字按照一定的权重比例，通过模拟开关 网络包括二进制电阻网络DA转换器和R-2R电阻网络等。 4.2.2电容型DA转换器 电容型DA转换器主要是用电容和运算放大器来实现电荷的再分布，工作原理是将电容阵列储存 的总电荷进行二元划分，通过利用电荷重分布的方式来产生模拟电压，最终通过运算放大器输出，实现 数字到模拟的转换。 4.2.3电流型DA转换器 电流型DA转换器利用有源器件（Bipolar晶体管或MOS管）替代权电阻网络中的电阻作为具有权 重的电流单元，然后根据输入的数字信号选择导通一部分电流到输出，这些电流相加的和就是数字输入 信号所对应的模拟值，以此实现数字到模拟的转换。根据电流单元的电流流向，电流型DA转换器可分 流型DA转换器和分段式电流型DA转换器。 4.3过采样DA转换器 过采样DA转换器利用过采样和噪声整形技术将大部分的转换过程转移到数字域进行处理，将量 化噪声转移到高频域内，使得信号频带内的噪声明显减小从而提高了信噪比。 2 GB/T42973—2023 5 技术要求 5.1 温度 5.1.1工作温度 除另有规定外，DA转换器的工作温度为： A类:0℃~70℃; B类:-40℃~85℃; C类：-40℃~105℃; D类:-40℃~125℃; E类：-55℃~125℃； F类：更宽范围。 工作温度可用环境温度（TA）、壳温（Tc）或结温（T）表征。 5.1.2 贮存温度 除另有规定外，DA转换器的贮存温度（Tsig）为：一65℃～150℃。 5.2 电特性 5.2.1 静态特性 DA转换器应包含但不限于以下适用的静态电性能指标： a) 电源电流（Icc）； b) 功耗(P)； c) 失调误差（E。）； (p 失调误差温度系数（αEo）； e) 双极零点误差（Ez）（适用时）； f) 双极零点误差温度系数（αEBz）（适用时）； g) 增益误差(Ec)； h) 增益误差温度系数（αEG）； i) 满度误差（Ers）； j) 满度误差温度系数（αEFs）； k) 微分非线性误差（DNL）； 1) 微分非线性误差温度系数（αDNL）； m) 积分非线性误差（INL）； n) 积分非线性误差温度系数（αINr）； 0) 输出顺从电压范围（Voc）（适用时）； p) 满度输出电流（Io）（适用时）。 5.2.2 动态特性 DA转换器应包含但不限于适用的动态电性能指标： a) 信噪比（SNR）； 3 GB/T42973—2023 b) 信噪失真比（SINAD）； c) 总谐波失真（THD）； d) 无杂散动态范围（SFDR）； e) 双音交调失真（TTIMD)； f) 噪声功率谱密度（NSD)； g) 建立时间（ts)； h) 模拟输出上升时间（tRISE）； i) 模拟输出下降时间（tPALL）； j) 毛刺脉冲(GI); k) 转换速率(f)； 1) 直流电源抑制比（PSRRpc）； m) 交流电源抑制比（PSRRAc）； n) 通道隔离度（ISO)； 0) 通道一致性(D)。 5.3 封装特性 为了方便使用，应规定以下封装特性： a) 封装外形图：包括封装形式、封装尺寸、引出端定义功能符号等； b) 热阻：在规定的功耗下，以最严酷的推荐工作条件工作时，允许在器件表面参考点产生的最高 温度； c) 耐焊接热温度； d) 回流焊曲线（适用时）。 5.4 4其他指标 为了方便使用，DA转换器还应规定以下适用的特性： a) 输入或输出电路功能框图； b) 静电放电敏感度（ESD)（人体模型、机械模型、带电器件模型等）； c) 绝对最大额定值； d) 推荐工作条件； e) 功能特性，如分辨率、通道数、锁相环使能、数字插值、