GB/T : 言 1.1—2009给！ 些内容可能涉 二件的发布机机 技术及其应用 专员会（SAC/） 国航天科技 第九研究院第 ：张群、刘洪卫 。 SA 1 GB/T39343—2020 器器件单粒子试验 呈序 1范围 本标准 设计与程序。 本标准 金设计和过程控制，其他领域产日可分助 2 规范性 下列文 不可少的。凡是注日期的 件。凡是不 新版本（包括所有的修改单） GB 18 1与辐射源安全基本标准 3 术语和 3.1 术语 下列木 3.1.1 59 处理器 内部含 勺使用中可取指并执行指令的器件。 3.1.2 单粒子 ;SEE 刊计多双应的术语。 : event phenomena;SEP 击引发的半导体器件一系列 子引起的效应 " event unset.SEIT T J 单个高 态改变的一种 3.1.5 单粒子 单个高 成低电阻、大# 3.1.6 单粒子 单个高 能恢复器件 功能。 入射方向在材料中单位长度沉积的能量 GB/T39343—2020 3.1.8 LET阈值 threshold 定比例饱和截面对 3.1.9 有效LET effective 离子倾角入射时等效 上沉积的能 3.1.10 注量 fluence 垂直入射方向单位面 每平方厘米（ 3.1.11 垂直入射的粒子数，单位为 厘米秒[n/(cm²·s)]。 :P section 事件数。 I cross section 值而SEP数不再增加时的单粒子事件截面。 rate 发生单粒子事件的概率，根据不同空间轨道宇宙射线的粒子种类和粒子数 面和单粒子 事件截面，可计算出特定空间辐射环境下发生单粒子事件的概率。 3.2 缩略语 下列缩略语适用于本文件。 DUT 待测器件（deviceundertes） ECC错误检测与修正（errorchec rection) LET 线性能量传输（linerenergy MBU 多位翻转（multiple-bitups MCU 多单元翻转（multiple-cell PCB 印制申器板（printcircuithc fect) ent functional tch up) lenomena) ansient) 单粒子翻转（singleeventupset) 境 除另有规定外，测量和试验环境条件应满足： 2 5℃; j~80%。 上明应俩以下两书 1一批次产品白 品电路试验前 ！参数测试和！ 按编号记录相 自保粒子可穿 F盖或减薄过利 用未经辐照自 的详细信息。 能有杂左讲利 进行单粒于 有的电参娄 用要求和测 a) s b) 子能量，但建议扫描整个质 或存储器等双 全“0”、全“1” 3 立能统计翻转 和时间，并能区分MCU和 b) s 1 和记录锁定现象，并在发生 2 件不会产生损坏或退化； 3 即在一种敏感的条件下可