ICS 31.200 L 56 中华人民共和国国家标准 GB/T 35008—2018 串行NOR型快闪存储器接口规范 Specification for serial NOR flash interface 2018-08-01实施 2018-03-15发布 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 发布 中国国家标准化管理委员会 GB/T35008—2018 目 次 前言 范围 2 规范性引用文件 3 术语和定义 物理接口 4.1 引出端功能定义 4.2 数据接口类型 5存储阵列架构 5.1 存储架构 5.2 状态寄存器 5.3 器件保护功能 5.4 器件自毁功能 6指令定义 6.1指令集说明 6.2指令集描述 6.3指令格式模式 25 7参数表说明. 26 7.1参数表头定义 26 7.2参数列表定义 26 附录A（资料性附录） 块保护描述 29 GB/T35008—2018 前言 本标准按照GB/T1.1一2009给出的规则起草。 请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任 本标准由中华人民共和国工业和信息化部提出。 本标准由全国半导体器件标准化技术委员会（SAC/TC78）归口。 电子科技集团公司第五十八研究所、清华大学微电子学研究所、深圳市中兴微电子技术有限公司。 本标准主要起草人：刘超、刘会娟、苏志强、高硕、李锟、赵桂林、吴华强、武鹏。 1 GB/T 35008—2018 串行NOR型快闪存储器接口规范 1 范围 本标准规定了串行或非（NOR）型快闪存储器（以下称为器件）的物理接口、存储阵列架构、指令定 义和参数表说明等。 本标准适用于地址为24位的串行NOR型快闪存储器的设计和使用。 规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文 件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。 GB/T17574一1998半导体器件集成电路第2部分：数字集成电路 3 术语和定义 GB/T17574—1998界定的以及下列术语和定义适用于本文件。 3.1 状态寄存器 status register 存储器内部标志内部状态的寄存器。 4 物理接口 4.1 引出端功能定义 器件引出端功能定义见表1。 表1引出端功能定义 引出端 输入/输出 描述 CS# 输人 片选信号输入，低电平有效 SO/SIO1 输人/输出 串行数据输出端/串行数据端1 WP#/SIO2 输入/输出 写保护端，低电平有效/串行数据端2 GND 地 地 SI/SIO0 输人/输出 串行数据输人端/串行数据端0 SCLK 输人 串行时钟输人端 HOLD#/SIO3 输入/输出 保持功能输人端，低电平有效/串行数据端3 VCC 电源 供电电源 1 GB/T35008—2018 4.2数据接口类型 4.2.1单端口模式 单端口模式配备4个信号端口，即SCLK，CS#，SI,SO。输入数据在时钟上升沿采样，输出数据在 时钟下降沿输出。此模式支持HOLD#保持功能和WP#写保护功能。 4.2.2双端口传输模式 双端口传输模式下数据传输速度是单端口模式的两倍。配备4个信号端口，即SCLK，CS#，SI/ SIOO，SO/SIO1。此模式支持HOLD#保持功能和WP#写保护功能。 双端口传输模式为可选模式。 4.2.3四端口传输模式 四端口传输模式下数据传输速度是单端口模式的四倍。配备6个信号端口，即SCLK，CS，SI 再支持HOLD#保持功能和WP#写保护功能。 四端口传输模式通过设置寄存器QE实现，见5.2。当QE被设置为1后，所有四端口传输模式指 令均可直接启动四端口传输模式。 四端口传输模式为可选模式。 4.2.4模式转换 单端口模式与双端口传输模式通过对应的指令直接转换。四端口传输模式通过设置寄存器QE实 现。当QE被设置为1后，所有四端口传输模式指令均可直接启动四端口传输模式。 4.2.5HOLD#保持功能 HOLD#保持功能只在单端口模式和双端口串口模式下有效。HOLD#信号驱动为低电平后，任 何通过串口与器件端口的通信都会被保持。如此时器件内部由于读写擦等动作处于忙状态，内部状态 将不会被保持。 保持功能要求CS保持为低电平，HOLD#驱动为低电平，之后应等到时钟首次为低电平，保持功 能开启。如时钟不为低电平，则等到时钟为低电平时开启保持功能。当HOLD#驱动为高电平后，应 等到时钟首次为低电平，保持功能结束。HOLD#保持功能启动时，数据输出端为高阻，数据输人和时 钟无效，如CS#在保持功能有效期间驱动为高电平，保持功能结束。如要与器件重新通信，HOLD应 驱动为高电平，并且CS#应为低电平。HOLD#保持功能条件如图1所示。 HOLD#保持功能为可选功能。 CS# SCL.K HOLDF/S103 图1HOLD#保持功能 2 GB/T 35008—2018 4.2.6 WP#写保护功能 在单端口模式和双端口传输模式下，WP#信号驱动为低电平后，如保护位BRWD为1，则块保护 位（BPO,BP1,BP2，和INV,CMP)将被锁定而不能修改，两信号应同时具备。 WP#写保护功能为可选功能。 5存储阵列架构 存储架构 存储阵列架构如图2所示。存储阵列由一个或多个面块组成，一个面块由多个块组成，一个块由多 个扇区组成，一个扇区由多个页组成。页是最小的读、写单元。 面块1 块 页 。 块0 页 扇区0 扇区0 更 1 : 扇区N 扇区N 页N 块0[ 页 0 块0 页 0 扇区0 页 1 页 1 闵区N 扇区N 页 更 块0 页 0 块0 更 0 扇区0 扇区0 页1 页1 扇区N 扇区N 页 图2 存储阵列架构图 5.2状态寄存器 状态寄存器用于记录器件当前的工作状态和控制模式，器件配置的状态寄存器位定义见表2。 表 2 状态寄存器位定义 地址 7 6 5. 4 3 2 1 0 S15:S8 SUS CMP 预留 预留 预留 LB QE 预留 S7:S0 SRP BP4 BP3 BP2 BP1 BPO WEL WIP 状态寄存器中各个状态位的描述见表3。 3 GB/T35008—2018 表3状态寄存器位描述 状态位 描述 写进行位，标志存储器是否正忙于编程/擦除/写状态寄存器。当WIP=1时，表示器件正忙于编程/擦 WIP 除/写状态寄存器。当WIP0时，表示器件没有进行编程/擦除/写状态寄存器等进程 写使能锁存位，标志内部写使能锁存的状态。当WEL=1时，表示内部写使能锁存被设置。当WEL WEL 0时，表示内部写使能锁存被复位，并且没有接到写状态寄存器、编程或者擦除指令 非易失的块保护位，他定义了防止编程和擦除的软件保护区域。这些位通过写状态寄存器（WRSR)指 BP4、BP3、 BP2、BP1、 作。如没有设置硬件保护模式，这些块保护位就可被编写。只有当块保护位（BP2、BP1、BPO)设为0且 BPO CMP=0时，全器件擦除指令才被执行 SRP 状态寄存器保护位，是非易失读写位，他控制写保护的方式：软件保护、硬件保护 四端口使能位，是状态寄存器中允许四端口操作的非易失读写位。当QE设为0时（默认状态），WP# QE 引出端和HOLD#引出端有效；当QE设为1时，IO2和IO3引出端有效。但是在单端口和双端口传输 模式下，如WP#引出端和HOLD#引出端直接连接电源或者地，QE不能设为1 状态寄存器中的非易失性一次性可编程位，为安全寄存器提供写保护控制和状态。LB的默认状态为 LB 0,安全寄存器没有被锁定；可通过写状态寄存器指令将LB设为1。LB是一次性可编程位，一旦被设为 1，安全寄存器将成为永久的只读性 是非易失性的读写位，他和BP4、BP3、BP2、BP1、BPO结合在一起为器件保护提供更大的灵活性。他的 CMP 默认值为0 他是状态寄存器中的只读位。当执行完擦除/编程挂起指令（75H)后被设为1。SUS可通过编程/擦除 SUS 恢复指令（7AH)或者电源掉电、上电循环清为0 5.3 器件保护功能 器件应提供如下数据保护模式： a）写使能指令：该指令设置写使能锁存位（WEL）。当出现上电、写失效、写状态寄存器、页编程、 擦除情况时，WEL会被复位。 b）软件保护模式：块保护的方式通过设置寄存器实现。块保护位（BP4、BP3、BP2、BP1和BPO) 何对该块的编程和擦除操作都不被执行。 硬件保护模式：WP#驱动为低电平以保护BPO位～BP4位和SRP位 d）深度休眠模式：在深度休眠模式下，除了从深度休眠模式下退出的指令外，所有的指令都无效。 5.4器件自毁功能 器件遇到特殊情况可启动自毁功能。自毁之后，不再接收任何指令，此模式永久生效。器件自毁功 能的时序见6.2.30。 自毁功能为可选功能。