ICS 31-030 L 90 GB 中华人民共和国国家标准 GB/T 5594.8—2015 代替GB/T5594.8—1985 电子元器件结构陶瓷材料 性能测试方法 第8部分：显微结构测定方法 Test methods for properties of structure ceramic used in electronic components and device- Part 8 : Test method for microstructure 2015-05-15发布 2016-01-01实施 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 发布 中国国家标准化管理委员会 GB/T 5594.8—2015 前言 GB/T5594《电子元器件结构陶瓷材料性能测试方法》分为以下部分： 气密性测试方法（GB/T5594.1）； 杨氏弹性模量泊松比测试方法（GB/T5594.2）； 第3部分：平均线膨胀系数测试方法（GB/T5594.3）； 一第4部分：介电常数和介质损耗角正切值的测试方法（GB/T5594.4）； 体积电阻率测试方法（GB/T5594.5）； 第6部分：化学稳定性测试方法（GB/T5594.6）； 一第7部分：透液性测定方法（GB/T5594.7）； 第8部分：显微结构测定方法（GB/T5594.8）； 电击穿强度测试方法（GB/T5594.9）。 本部分为GB/T5594的第8部分。 本部分按照GB/T1.1一2009给出的规则起草。 本部分代替GB/T5594.8一1985《电子元器件结构陶瓷材料性能测试方法 显微结构的测定》。 本部分与GB/T5594.8一1985相比，主要有下列变化： 标准名称改为：“电子元器件结构陶瓷材料性能测试方法第8部分：显微结构测定方法； “3.1显微结构”定义中，增加了晶界、相间物质、空间上的相互排列和组合关系等； 一“4样品的制备”中，增加了“小尺寸样品，可以直接采用单面磨制”； “7测试结果的综合表示”中，增加了部分显微结构照片，将晶粒大小放在前面。显微缺陷、 气孔数量、玻璃相等部分放在后面； 删除了气孔、玻璃相含量等级表示方法（见GB/T5594.8—1985中4.2.2、4.3）。 请注意本文件的某些内容可能涉及专利，本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任 本部分由中华人民共和国信息工业和信息化部提出。 本部分由中国电子技术标准化研究院归口。 本部分起草单位：中国电子科技集团公司第十二研究所、中国电子技术标准化研究院、江苏常熟银 洋陶瓷器件有限公司。 本部分主要起草人：江树儒、曹易、高永泉、翟文斌。 本部分所代替标准的历次版本发布情况为： GB/T5594.8—1985。 I GB/T5594.8—2015 电子元器件结构陶瓷材料 性能测试方法 第8部分：显微结构测定方法 1范围 GB/T5594的本部分规定了氧化铝瓷、氧化铍瓷、滑石瓷和镁橄榄石瓷等电子元器件结构陶瓷显 微结构的测定方法。 本部分适用于氧化铝瓷、氧化铍瓷、滑石瓷和镁橄榄石瓷等电子元器件结构陶瓷显微结构的测定。 本部分只涉及光学显微镜的测定内容和测定方法。 2规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文 件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。 GB/T9530—1988电子陶瓷名词 3术语和定义 GB/T9530一1988界定的以及下列术语和定义适用于本文件。 3.1 显微结构 microstructure 晶相（主晶相、次晶相）、玻璃相、气相、晶界等的组成、形态、大小、数量、种类、分布、均匀度、缺陷、相 间物质等的在空间上的相互排列和组合关系。 3.2 晶相 crystalphase 在多相系统中由晶体构成的部分。 3.3 气孔pore 存在于陶瓷体中的小孔。与大气连通的称开口气孔，封闭的称闭口气孔，包在晶粒内部的称晶内气 孔，处在晶粒之间的称晶间气孔。 3.4 玻璃相glassphase 在多相系统中由玻璃态构成的部分。它是由主要组分、添加物和杂质等熔融后凝结而成， 4样品的制备 样品尺寸酌情而定。对于小尺寸样品，可以直接采用单面磨制；一般样品可取10mm×10mm× 5mm（长×宽×厚）或10mm×5mm，并根据分析要求磨制成下列任何一种试样： 1 GB/T5594.8—2015 光片：单面抛光，然后采用化学侵蚀、热侵蚀等方法，使其晶界显露； a) b) 薄片：将样品的厚度磨至30μm； c) 光薄片：将薄片单面抛光； 超薄光薄片：双面抛光，将样品的厚度磨至30um以下。 5测量仪器 各种类型的偏光显微镜、反光显微镜和全自动图像分析仪。 6测定内容和测定方法 6.1晶相 6.1.1概述 先确定陶瓷中各种晶体的名称，分别主、次晶相，然后再依次测定下列项目。 SAC 6.1.2 晶相形态 6.1.2.1 晶形的完整性 根据晶体生长发育情况，可分为自形晶、半自形晶和他形晶。 6.1.2.2 晶体的形态 可分为粒状、针状、柱状（或短柱状）、网状、板状和鳞片状等。 6.1.3晶粒大小 6.1.3.1概述 测定时可采用显微镜中的目镜刻度尺、数字显示显微镜测定仪和全自动图像分析仪进行测量。晶 粒大小的分类和命名如表1所示 表1粒径的分类和命名 单位为微米 隐晶质 微晶粒 细晶粒 中晶粒 粗晶粒 粗大晶粒 d<0.2 0.2≤d<1 1≤d<10 10≤d<30 30≤d<100 d≥100 6.1.3.2 平均粒径 测量方法同上，分别测量出上述晶粒，然后取其平均值（晶粒数根据不同情况而定，一般不少于 100颗）。 6.1.3.3 粒径大小的差异 根据晶粒大小的差异，可以分为以下三种类型： 均粒状：晶粒大小相近，或虽有少量大晶粒存在，但大小晶粒粒径之比小于3：1； a) b) 非均粒状：非均粒状亦可称为似斑状，晶粒大小有差异，但晶粒大小粒径之比小于5：1； c) 斑状：晶体颗粒差异较大，晶粒粒径之比超过5：1。 2 GB/T5594.8—2015 6.1.4晶相的含量 测定时可采用下列方法： a）点数计算法：待测相在所观察的总点数中所占的点数百分比； b) 直线计算法：待测相在所观察的总线段中所截的线段百分比； c) 面积计算法：待测相在所观察的总面积中所占的面积百分比。 6.2气孔 6.2.1 气孔的形状、大小和分布 用光学或电子扫描显微镜测定气孔的形状、大小和分布。 6.2.2气孔的百分含量 按晶相含量的测定方法，测定气孔的百分含量。 玻璃相 按晶相含量的测定方法，测定玻璃相的百分含量。 6.4显微缺陷 主要是指欠烧、过烧、熔蚀、取向、孔隙、微裂纹和斑状显微结构等。 7测定结果的综合表示 根据以上各项的测定结果，编写测试报告，照片注明制样方法，对于陶瓷显微结构，可以综合起来加 以考虑。显微结构的表示格式见图1。 1 II 气孔数量 品粒大小 品体形态 玻璃相数量 粒径人小的差异 显微缺陷 图1显微结构的表示格式 可按上述格式的内容相加组合来表示 示例1： 晶粒大小 晶体形态 显微结构缺陷 粒径大小的差异 → → 板状 30μm~100μm 熔蚀 大小粒径之比大于5：1 → → 粗晶粒 板状 熔蚀 斑状 示例1（对应图2)的显微结构简称为粗晶粒板状熔蚀斑状显微结构。 如果部分内容缺少，可以不表示。