ICS 29.045 H82 GB 中华人民共和国国家标准 GB/T29506—2013 300mm硅单晶抛光片 3oo mm polished monocrystalline silicon wafers 2013-05-09发布 2014-02-01实施 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 发布 中国国家标准化管理委员会 GB/T29506—2013 前言 本标准按照GB/T1.1一2009给出的规则起草。 本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会（SAC/TC203)提出并归口。 本标准起草单位：有研半导体材料股份有限公司、中国有色金属工业标准计量质量研究所。 本标准主要起草人：闫志瑞、孙燕、盛方毓、卢立延、张果虎、向磊。 SAC I GB/T29506—2013 300mm硅单晶抛光片 1范围 本标准规定了直径300mm、p型、<100>晶向、电阻率0.5Q·cm20Q·cm规格的硅单晶抛光片 的术语和定义、技术要求、试验方法、检测规则以及标志、包装、运输、贮存等。 本标准适用于直径300mm直拉单晶磨削片经双面抛光制备的硅单晶抛光片，产品主要用于满足 集成电路IC用线宽90nm技术需求的衬底片。 2规范性引用文件 2 下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文 件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。 GB/T 1550 非本征半导体材料导电类型测试方法 GB/T 1554 硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法 GB/T 1555 半导体单晶晶向测定方法 GB/T 1557 硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法 GB/T 1558 硅中代位碳原子含量红外吸收测量方法 GB/T 2828. 1 计数抽样检验程序第1部分：按接收质量限（AQL）检索的逐批检验抽样计划 GB/T 4058 硅抛光片氧化诱生缺陷的检验方法 GB/T 6616 半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测试方法非接触涡流法 GB/T 6624 硅抛光片表面质量目测检验方法 GB/T 11073 硅片径向电阻率变化的测量方法 GB/T 13388 硅片参考面结晶学取向X射线测量方法 GB/T14140 硅片直径测量方法 GB/T 14264 半导体材料术语 GB/T 19921 硅抛光片表面颗粒测试方法 GB/T 19922 硅片局部平整度非接触式标准测试方法 SAC GB/T 24578 硅片表面金属沾污的全反射X光荧光光谱测试方法 GB/T 26067 硅片切口尺寸测试方法 GB/T 29504 300mm硅单晶 GB/T 29507 硅片平整度、厚度及总厚度变化测试自动非接触扫描法 GB/T29508 300mm硅单晶切割片和磨削片 YS/T26 硅片边缘轮廓检验方法 YS/T679非本征半导体中少数载流子扩散长度的稳态表面光电压测试方法 SEMIMF1390 硅片翘曲度的无接触自动扫描测试方法 3术语和定义 GB/T14264界定的术语和定义适用于本文件。 1 GB/T29506—2013 4 要求 4.1物理性能参数 硅抛光片的导电类型、电阻率及径向电阻率变化、氧含量、碳含量应符合GB/T29504的要求。 4.2 几何参数及表面要求 硅抛光片的几何参数应符合表1的要求。硅抛光片所有在表1中未列出的参数规格，由供需双方 协商解决。 表1 300mm硅抛光片几何尺寸参数及表面质量 项 目 指标 硅片厚度（中心点）/μm 775 厚度允许偏差/μm ±20 总厚度变化/μm 1. 5 翘曲度/μm 45 总平整度（TIR)/μm 1. 0 局部平整度（SFQR）（25mmX25mm）/μm 0.10 ≥0. 12 μm < 80 局部光散射体LLSs ≥0.16μm < 40 （正表面）/（个/cm²） ≥0.2 μm > 15 表面金属含量/（原 Cu/Cr/Fe/Ni 1.0X1010 子数/cm） Al/Zn/K/Na/Ca 5.0×1010 体金属（铁）含量/（原子数/cm²） 5.0X1010 4.3 晶体完整性 4.3.1晶体完整性应符合GB/T29504的要求 4.3.2 氧化诱生缺陷与晶体完整性、抛光工艺等诸多因素有关，氧化诱生缺陷指标由供需双方协商 确定。 4. 4 表面取向 硅抛光片的表面取向及表面取向偏离应符合GB/T29508的要求。 4.5 基准标记 硅抛光片的切口基准轴取向及尺寸应符合GB/T29508的要求 4. 6 6直径及直径允许公差 硅抛光片的直径及直径允许公差应符合GB/T29508的规定。 2 GB/T29506—2013 4.7 表面质量 硅抛光片表面质量应符合表2的规定。 表 2 抛光片表面质量目检要求 序号 项 目 最大缺陷限度 1 划伤 无 2 蚀坑 无 雾 无 亮点/（个/片） 无 4 5 区域沾污 无 正 6 崩边 无 表 7 裂纹，鸦爪 无 面 凹坑 8 无 .9 沟(槽) 无 10 小丘 无 11 桔皮，波纹 无 12 刀痕 无 13 崩边 无 背 14 裂纹，鸦爪 无 表 15 区域沾污 无 面 16 刀痕 无 4. 8 边缘轮廓 硅片经边缘倒角及边缘抛光，抛光处理后的边缘轮廓应符合YS/T26的要求，特殊要求可由供需 双方协商确定。 试验方法 5 5. 1 硅抛光片的导电类型测量按GB/T1550进行。 5.2 硅抛光片电阻率测量按GB/T6616进行。 5.3 硅抛光片径向电阻率变化的测量按GB/T11073进行 5. 4 硅抛光片间隙氧含量测量按GB/T1557进行。 5.5 硅抛光片代位碳含量测量按GB/T1558进行。 5.6 硅抛光片厚度、总厚度变化及总平整度测量按GB/T29507进行。 5.7 硅抛光片局部平整度测量按GB/T19922进行。 3